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    热解氮化硼化学气相生长炉
    热解氮化硼化学气相生长炉
    产品描述:
    用于氮化硼的化学气相涂层与生长
    应用范围:
    OLED坩埚、PBN板材/环舟、VGF坩埚、LEC坩埚等。产品纯度≥99.999%/99.9999%。

    热解氮化硼化学气相生长炉技术特征

    采用先进的进控制技术,能精密控制BCl3/NH3的流量和压力,炉膛内沉积气流稳定,压力波动小;

    多通道工艺气路,配合旋转料台,无沉积死角;

    多级尾气处理系统,能高效处理腐蚀性尾气、固体副产物,环境友好;

    可选配最新设计的防腐蚀真空机组,持续工作时间长,维修率低;

    适于工艺气氛:真空/H2/N2/Ar/BCl3/NH3。


    热解氮化硼化学气相生长炉产品规格

    参数\型号VCVD-0305-BNVCVD-0608-BNVCVD-0612-BNVCVD-0812-BNVCVD-1015-BNVCVD-1218-BNVCVD-1315-BNVCVD-1520-BN
    工作区尺寸 φ×H(mm)300×500600×800600×1200800×12001000×15001200×18001300×15001500×2000
    最高温度(℃)2000
    温度均匀性(℃)±5±7.5/±10±7.5/±10±7.5/±10±10/±15±10/±15±10/±15±15/±20
    极限真空度(Pa)1-100
    压升率(Pa/h)0.67
    加热方式电阻

    以上参数可根据工艺要求进行调整,不作为验收依据,具体以技术方案和协议为准。

    热解氮化硼化学气相生长炉配置选择

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    半导体材料热工装备

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